Thông số kĩ thuật
Nhà sản xuấtSamsung
ModelMZ-V9P1T0BW
Chuẩn giao tiếpPCIe Gen4.0 x4, NVMe 2.0
Kích thướcM.2 2280
Dung lượng1 TB
Random 4k1.200K /1.550K IOPS Read/ Write
Tốc độ đọc7450 MB/s
Tốc độ ghi6900 MB/s
NAND FlashSamsung V-NAND 3-bit MLC
TBW600 TB